farsnews.ir

Farsnews | نانو الکترونیک و کاربرد نانو ساختار های کوانتومی تونل زنی در فناوری نانو الکترونیک فرآیندهایی سطح زیر لایه (Si و Gi) از جمله سوزش توسط فناوری پلاسما و باریکه یونی صورت میگیرد. اینگونه مدارهای مجتمع با ویژگیهای منحصر به فرد خود در مقیاس نانومتری کاربردهای متنوعی از سیستمهای (مِزوسکوپیک) دارند. مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi اخیراً در زمینه تأثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta نانو وجود دارد . همچنین در فناوری طراحی قطعات نانو الکترونی با استفاده و ساخت لایه های نازک مورد نیاز در مدارهای مجتمع مذکور فقط در محیطهای تعریف شده توسط روشهای دقیق لایه نشانی نظیر لایه نشانی با باریکه مولکولی (MBE) و لایه نشانی با بخار شیمیایی مواد آلی فلزی (MOCVD) امکان پذیر است.